參數(shù)資料
型號： MRF1090MA
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 332-04, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 127K
代理商： MRF1090MA
Figure 4. Output Power versus Supply Voltage
Figure 5. Power Gain versus Frequency
Figure 6. Series Equivalent Input/Output Impedance
f
MHz
Zin
Ohms
ZOL*
Ohms
960
1090
1215
2.8 + j13.2
7.4 + j11.4
4.7 + j7.5
7.6 + j3.5
7.6 + j4.0
7.7 + j4.5
Pout = 90 W pk VCC = 50 V
tp = 10 s D = 1%
G
PB
,POWER
GAIN
(dB)
f = 1090 MHz
tp = 10 s
D = 1%
Po = 90 W pk
VCC = 50 V
tp = 10 s
D = 1%
120
100
80
60
40
20
10
20
30
40
50
0
VCC, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
P
,OUTPUT
POWER
(W
ATTS
pk)
out
13
12
11
10
9
8
960
1090
1215
f, FREQUENCY (MHz)
515
25
35
45
Pin = 10.5 W pk
7.5 W pk
4.5 W pk
9 W pk
6 W pk
ZOL* = Conjugate of the optimum load
ZOL* = impedance into which the device
ZOL* = output operates at a given output
ZOL* = power, voltage, and frequency.
Zin
f = 960 MHz
1215
ZOL*
1090
0
5.0
10
f = 960 MHz
1215
1090
+j5.0
+j10
+j15
+j20
15
Coordinates in Ohms
Figure 7. Typical Pulse Performance
Po = 90 W pk
VCC = 50 V
tp = 10 s
D = 1%
f = 1090 MHz
3
REV 9
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