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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPD800261F1-523-HN2 |
| 元件分類(lèi)： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, 150 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA304 |
| 封裝： | 19 X 19 MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-304 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 24/45頁(yè) |
| 文件大小： | 369K |
| 代理商： | MPD800261F1-523-HN2 |
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30
Preliminary Data Sheet A17989EE1V0DS00
PD800261
2.2 Operating Conditions
Table 2-2:
Recommended Operating Conditions (1/2)
Parameter
Symbol
Test
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Power supply for core
VDD Core
1.35
1.5
1.65
V
Power supply for IO
VDD IO
3.0
3.3
3.6
V
Analog power supply for PLL
PLL_AVDD
1.35
1.5
1.65
V
Digital power supply for PHYs
DVVD
1.35
1.5
1.65
V
Analog central 3.3 V supply for PHYs
VDDACB
3.0
3.3
3.6
V
Analog central 1.5 V supply for PHYs
VDDAPLL
1.35
1.5
1.65
V
Analog Rx/Tx port power supply
P(2:1)VDDARXTX
1.35
1.5
1.65
V
PECL buffer power supply
VDDQ (PECL)
3.0
3.3
3.6
V
Analog test supply
VDD33ESD
3.0
3.3
3.6
V
Ambient temperature
TA
-40
+85
°C
Output voltage high
3.3 V CMOS
VOH
IOH = 0 mA
VDD IO -
0.1 V
V
nominal
output
current
2.4
V
Output voltage low
3.3 V CMOS
VOL
IOL = 0 mA
0.1
V
nominal
output
current
0.4
V
Input voltage high
3.3 V CMOS
VIH
2
VDD IO
V
3.3 V PECL
difference
to VDDQ
level
-0.880
1.165
V
Input voltage low
3.3 CMOS
VIL
00.8
V
3.3 V PECL
difference
to VDDQ
level
-1.475
-1.880
V
Positive trigger voltage
Schmitt
input
VP
1.2
2.4
V
Negative trigger volt-
age
VN
0.6
1.8
V
Hysteresis voltage
VH
0.3
1.5
V
Input rise time
3.3 V CMOS
tRI
0200
ns
Input fall time
tFI
0200
ns
Input rise time
Schmitt
input
tRI
010
ms
Input fall time
tFI
010
ms
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