參數(shù)資料
型號： MP6404
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Power MOS FET Module Silicon N&P Channel MOS Type
中文描述： 東芝功率場效應(yīng)晶體管模塊硅?
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大小： 276K
代理商： MP6404
MP6404
2004-07-01
6
Nch MOS FET
Drain-source voltage V
DS
(V)
Capacitance – V
DS
C
Case temperature Tc (°C)
V
th
– Tc
G
t
Case temperature Tc (°C)
R
DS (ON)
– Tc
D
D
)
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
DR
– V
DS
D
D
G
G
Total gate charge Q
g
(nC)
Dynamic Input/Output Characteristics
D
D
0
80
VGS = 4 V
Common source
2.5, 1.3
2.5
1.3
ID = 4 A
VGS = 10 V
40
0
40
80
120
160
0.3
0.1
0.2
0.4
4
0
80
Common source
VDS = 10 V
ID = 1 mA
40
0
40
80
120
160
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Common source
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Tc = 25°C
10
0.1
30
50
100
300
500
1000
3000
0.3 0.5
1
10
30 50
100
3
5
Ciss
Coss
Crss
Common source
ID = 5 mA
Tc = 25°C
0
0
0
20
40
60
80
20
40
60
80
VDD = 48 V
12
VDD = 48 V
VDS
VGS
4
8
12
16
24
24
12
Common source
Tc = 25°C
0.1
0
0.4
0.8
1.6
2.0
2.4
1.2
0.3
0.5
1
3
5
10
20
VGS = 0,
1 V
10
3
1
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