參數(shù)資料
型號： MMSF3350R2
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： 13 A, 30 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 11/12頁
文件大?。?/td> 233K
代理商： MMSF3350R2
MMSF3350
8
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
θJA(t) = r(t) RθJA
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TA = P(pk) R
θJA(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 14. Thermal Response — Various Duty Cycles
t, TIME (seconds)
Rthja(t)
,EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
1000
1
D = 0.5
1E–05
1E–03
1E–02
1E–01
0.2
0.01
0.1
0.02
0.05
0.1
1E+00
1E+01
1E+03
SINGLE PULSE
Figure 15. Thermal Response — Various
Mounting/Measurement Conditions
1E–04
1E+02
MOUNTED TO MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT
POWER
(W)
0.01
10
0
40
80
t, TIME (seconds)
Figure 16. Single Pulse Power
1
20
0.1
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
Figure 17. Diode Reverse Recovery Waveform
60
MOUNTED ON 2
″ SQ. FR4 BOARD (1″ SQ.
2 OZ. CU 0.06
″ THICK SINGLE SIDED).
t, TIME (seconds)
Rthja(t)
,EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
10,000
100
10
1E–03
1E–02
1E–01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
1
1000
Rthja, 1 INCH PAD
Rthjl, MIN PAD
CHIP
JUNCTION
R1
C1
R2
C2
R3
C3
R4
C4
R5
C5
AMBIENT
1
2
3
4
5
0.0758
1.12
11.0
60.8
63.8
1.07
16.9
276
1090
13,600
0.0707
0.456
4.95
31.6
45.4
0.417
3.10
46.7
318
12,500
0.0866
0.558
6.61
5.64
3.95
0.0142
0.106
1.59
289
9,580
RC
MIN PAD, ja
RC
1 INCH PAD, ja
RC
MIN PAD, jl
Rthja, MIN PAD
DUTY CYCLE
100
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMSF3P03HDR2 4.6 A, 30 V, 0.1 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MMSF4205R2 8.8 A, 20 V, 0.014 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MMSF4205R2 8.8 A, 20 V, 0.014 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MMSF4N01HDR2 5800 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MMSF4P01HDR2 5.1 A, 12 V, 0.08 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMSF3P02HD 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SINGLE TMOS POWER MOSFET 3.0 AMPERES 20 VOLTS
MMSF3P02HDR2 功能描述:MOSFET 20V 3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMSF3P02HDR2G 功能描述:MOSFET PFET SO8S 20V 5.6A 75mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMSF3P02HDR2SG 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MMSF3P03HD 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SINGLE TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 30 VOLTS
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