型號: | MMJT9435T1 |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 3000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件頁數(shù): | 5/6頁 |
文件大?。?/td> | 135K |
代理商: | MMJT9435T1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MMP7034-19-1 | 200 V, SILICON, PIN DIODE |
MMPN-080150-C51 | 200 V, SILICON, PIN DIODE |
MMPQ2222/S62Z | 1000 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT2222A/L99Z | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMBT2222ALT1 | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMJT9435T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMJT9435T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMJT9435T3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMK | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Metallized polyester According to CECC 30401-042, IEC 60384-2, DIN 44122 |
MMK 15335J63B10L4 BULK | 制造商:KEMET Corporation 功能描述: |