參數(shù)資料
型號(hào)： MMJT9435
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Bipolar Power Transistors PNP Silicon(PNP型雙極性功率晶體管)
中文描述： Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 318E-04, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 85K
代理商： MMJT9435
MMJT9435
http://onsemi.com
2
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
T
, T
–55 to +150
CollectorEmitter Voltage
V
CEO
30
Vdc
EmitterBase Voltage
Base Current Continuous
V
EB
I
CollectorBase Voltage
6.0
1.0
V
CB
Vdc
Adc
45
Operating and Storage Junction Temperature Range
Collector Current
Peak
°
C
5.0
Total Power Dissipation @ T
C
= 25
°
C
Total P
D
@ T
A
= 25
°
C mounted on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR4 bd material
P
3.0
0.72
mW/
W
JunctiontoAmbient on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR4 bd material
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8” from case for 5 seconds
T
L
260
JC
R
JA
°
C
174
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
MMJT9435T1
SOT223
1000 / Tape & Reel
MMJT9435T1G
SOT223
(PbFree)
1000 / Tape & Reel
MMJT9435T3
SOT223
4000 / Tape & Reel
MMJT9435T3G
SOT223
(PbFree)
4000 / Tape & Reel
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
MMJT9435T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMJT9435T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMJT9435T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMJT9435T3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMK 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Metallized polyester According to CECC 30401-042, IEC 60384-2, DIN 44122
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