參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA517
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 400 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 0K
代理商： MMBTA517
1999. 11. 30
1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
MMBTA517
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
Revision No : 3
GENERAL PURPOSE HIGH DARLINGTON TRANSISTOR.
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
DIM
MILLIMETERS
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
SOT-23
A
B
C
D
E
2.93 0.20
1.30+0.20/-0.15
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
G
1.90
H
J
K
L
M
N
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
M
J
K
E
1
2
3
H
G
A
N
C
B
D
1.30 MAX
LL
PP
P7
+
_
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
* : Package Mounted On 99.5% Alumina 10
8
0.6mm.
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=0.1mA
40
-
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=10mA
30
-
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=-1.0mA
10
-
V
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB=40V
-
1
A
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB=10V
-
1
A
DC Current Gain
hFE
IC=100mA, VCE=2V
30K
-
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=100mA, IB=1mA
-
1
V
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=100mA, IB=10mA
-
1.5
2
V
Current Gain Bandwidth Product
fT
IC=100mA, f=100MHz, VCE=2V
-
220
-
MHz
Collector Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
-
5
-
pF
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
40
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
30
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
10
V
Collector Current
IC
400
mA
Collector Power Dissipation
PC *
350
mW
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature
Tstg
-55
150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBTA55_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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