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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBTA43 |
| 廠商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/3頁(yè) |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | MMBTA43 |
MCC
Revision: 3
2006/05/13
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
3 of 3
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA517 | 400 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA55 | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA56/E9 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA56/E8 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA56WT1 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBTA43LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 200V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA43LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 200V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA44 _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| MMBTA44_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| MMBTA44-G | 功能描述:NPN TRANSISTOR 200MA 400V SOT-23 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:750mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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