參數(shù)資料
型號: MMBTA06G-AE3-R
廠商: UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 211K
代理商: MMBTA06G-AE3-R
MMBTA06
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
3 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R206-041,D
SWITCHING TIME TEST CIRCUITS
TURN-ON TIME
TURN-OFF TIME
5.0s
+10V
0
tr=3.0ns
VIN
5.0F
RB
100
-1.0V
RL
+40V
VCC
OUTPUT
CS<6.0pF
100
5.0s
tr=3.0ns
VIN
5.0F
RB
100
+VBB
RL
+40V
VCC
OUTPUT
CS<6.0pF
100
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PDF描述
MMBTA06 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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MMBTA13 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBTA06LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06LT1HTSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANS NPN 80V 500MA SOT23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR AF NPN SOT-23
MMBTA06LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2