參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA06
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
代理商： MMBTA06
2003. 7. 21
1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
MMBTA06
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
Revision No : 3
DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS.
VOLTAGE AMPLIFIER APPLICATIONS.
FEATURE
Complementary to MMBTA56.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
DIM
MILLIMETERS
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
SOT-23
A
B
C
D
E
2.93 0.20
1.30+0.20/-0.15
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
G
1.90
H
J
K
L
M
N
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
M
J
K
E
1
2
3
H
G
A
N
C
B
D
1.30 MAX
LL
PP
P7
+_
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
80
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
80
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6
V
Collector Current
IC
500
mA
Emitter Current
IE
-500
mA
Collector Power Dissipation
PC *
350
mW
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature
Tstg
-55 150
* : Package Mounted On 99.5% Alumina 10 8 0.6mm.
Type Name
Marking
Lot No.
ADX
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB=80V, IE=0
-
100
nA
Emitter Cut-off Current
ICEO
VCE=60V, IB=0
-
100
nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, IB=0
80
-
V
DC Current Gain
hFE(1)
VCE=1V, IC=10mA
100
-
hFE(2)
VCE=1V, IC=100mA
100
-
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=100mA, IB=10mA
-
0.25
V
Base-Emitter Voltage
VBE
VCE=1V, IC=100mA
-
1.2
V
Transition Frequency
fT
VCE=2V, IC=10mA
100
-
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA13LT1
MMBTA13 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA13 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA20LT1G 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA20LT3 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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參數(shù)描述
MMBTA06_D87Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06_L98Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA06-7-01-F 制造商:DIODES 功能描述:TRANSISTOR NPN 80V / SOT-23 (LEAD FREE)
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