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參數(shù)資料
| 型號： | MMBTA06G-AE3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 211K |
| 代理商： | MMBTA06G-AE3-R |
MMBTA06
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R206-041,D
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector Base Voltage
VCBO
80
V
Collector Emitter Voltage
VCEO
80
V
Emitter Base Voltage
VEBO
4
V
Collector Current - Continuous
IC
500
mA
350
mW
Total Device Dissipation(Note 2)
Derate Above 25°C
PD
2.8
mW/°C
Junction Temperature
TJ
+150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
Note 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
2. Device mounted on FR-4=1.6×1.6×0.06 in
THERMAL DATA
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNIT
Junction to Ambient
θJA
357
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP MAX UNIT
OFF CHARACTERISTICS
Collector Emitter Breakdown Voltage (Note 1)
BVCEO
IC=1.0mA, IB=0
80
V
Emitter Base Breakdown Voltage
BVEBO
IE=100μA, IC=0
4
V
Collector Cutoff Current
ICES
VCE=60V, IB=0
0.1
μA
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=80V, IE=0
0.1
μA
ON CHARACTERISTICS
VCE=1V , IC=10mA,
100
DC Current Gain
hFE
VCE=1V , IC=100mA,
100
Collector Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT) IC=100mA, IB=10mA
0.25
V
Base Emitter on Voltage
VBE(ON)
VCE=1V , IC=100mA,
1.2
V
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth Product (Note2)
fT
VCE=2V, IC=10mA, f=100MHz 100
MHz
Note 1: Pulse test: PW≤300μs, Duty Cycle≤2%
2: fT is defined as the frequency at which IhfeI extrapolates to unity.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA06 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA13LT1 | |
| MMBTA13 | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA13 | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA20LT1G | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBTA06-GS08 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Switching/Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA06LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA06LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA06LT1HTSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANS NPN 80V 500MA SOT23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR AF NPN SOT-23 |
| MMBTA06LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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