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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT5962S62Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SO-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 41K |
| 代理商： | MMBT5962S62Z |
2N5962/
MMBT5962
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
IC = 5.0 mA, IB = 0
45
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 10
A, I
E = 0
45
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10
A, I
C = 0
8.0
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 30 V, IE = 0
VCB = 30 V, IE = 0, TA = 65
°C
2.0
50
nA
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB = 5.0 V, IC = 0
1.0
nA
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
VCE = 5.0 V, IC = 10
A
VCE = 5.0 V, IC = 100
A
VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA
VCE = 5.0 V, IC = 10 mA
450
500
550
600
1400
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 10 mA, IB = 0.5 mA
0.2
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA
0.5
0.7
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Ccb
Collector-Base Capacitance
VCB = 5.0 V
4.0
pF
Ceb
Emitter-Base Capacitance
VEB = 0.5 V
6.0
pF
hfe
Small-Signal Current Gain
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V,
f = 1.0 kHz
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V,
f = 100 MHz
600
1.0
200
NF
Noise Figure
VCE = 5.0 V, IC = 10
A,
RS = 10 k
, f = 1.0 kHz,
BW = 400 Hz
VCE = 5.0 V, IC = 100
A,
RS = 1.0 k
, f = 1.0 kHz,
BW = 400 Hz
VCE = 5.0 V, IC = 100
A,
RS = 10 k
, f = 1.0 kHz,
BW = 400 Hz
VCE = 5.0 V, IC = 100
A,
RS = 100 k
, f = 1.0 kHz,
BW = 400 Hz
VCE = 5.0 V, IC = 10
A,
RS = 10 k
, f = 10 Hz -10 kHz
BW = 15.7 kHz
3.0
6.0
4.0
8.0
3.0
dB
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT6427-13 | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT6428LT3 | 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT6429LT3 | 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT6428LT3 | 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT6517LT3 | 100 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT6427 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBT6427_Q | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBT6427-7 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 40V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBT6427-7-F | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 40V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBT6427LT1 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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