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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBT5551L99Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | MMBT5551L99Z |
2N5551
/
MMBT5551
Typical Characteristics
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P16
110
100
200
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
C
O
L
E
C
T
O
R
E
M
IT
T
E
R
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
C
ESA
T
25 °C
- 40 C
125 C
ββ = 10
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P16
1
10
100
200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE
EM
IT
T
E
R
VO
L
T
A
G
E
(V
)
C
B
ESA
T
ββ = 10
25 °C
- 40 C
125 C
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
0
50
100
150
200
250
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-T
Y
P
ICAL
P
U
L
S
E
D
CURRE
NT
G
A
IN
C
FE
125 °C
25 °C
- 40 °C
Vce = 5V
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
100 200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE
E
M
IT
T
E
R
O
N
VO
L
T
A
G
E
(V
)
C
B
EON
V
= 5V
CE
25 °C
- 40 C
125 C
Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
P16
25
50
75
100
125
1
10
50
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
-
CO
L
E
CT
O
R
CU
RR
E
N
T
(
n
A
)
A
CB
O
V
= 100V
CB
Collector-Emitter Breakdown
Voltage with Resistance
Between Emitter-Base
0.1
1
10
100
1000
160
180
200
220
240
260
RESISTANCE (k )
BV
-BRE
AKDO
W
N
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
CE
R
I
= 1.0 mA
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5551 | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| MMBT6427LT3 | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT7002W | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MMBT9015C | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT9015A | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT5551LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5551LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBT5551LT1H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMBT5551LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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