參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT7002W
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/2頁
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代理商： MMBT7002W
MMBT7002W
MMBT7002W
N
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
N-Kanal Feldeffekt Transistor – Anreicherungstyp
N
Version 2011-02-01
Dimensions - Mae [mm]
1 = G
2 = S
3 = D
Power dissipation – Verlustleistung
200 mW
Plastic case
Kunststoffgehuse
SOT-323
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMBT7002W
Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung
VDSS
60 V
Drain-Gate-voltage – Drain-Gate-Spannung
RGS ≤ 1 MΩ
VDGR
60 V
Gate-Source-voltage
Gate-Source-Spannung
dc
tp < 50 s
VGSS
± 20 V
± 40 V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
200 mW
Drain current Continuos – Drainstrom (dc)
ID
115 mA
Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom
IDM
800 mA
Operating Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
150°C
-55…+150°C
Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
1.3
0.3
1.
25
±
0.
1
1±0.1
2±0.1
2.
1
±
0.
1
Type
Code
3
2
1
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