參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT7002W
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 0K
代理商： MMBT7002W
MMBT7002W
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung
ID = 10 A
BVDSS
60 V
Drain-Source leakage current – Drain-Source Leckstrom
G short
VDS = 60 V
IDSS
1 A
Gate-Body leakage current – Gate-Substrat Leckstrom
VGS = 20 V
±IGSS
100 nA
Gate-Threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung
VGS = VDS, ID = 250 A
VGS(th)
1 V
2.5 V
Drain-Source on-voltage – Drain-Source-Spannung
VGS = 10 V, ID = 500 mA
VGS = 5 V, ID = 50 mA
VDS(on)
3.75 V
1.5 V
Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand
VGS = 10 V, ID = 500 mA
VGS = 5 V, ID = 50 mA
RDS(on)
7.5 Ω
Forward Transconductance – bertragungssteilheit
VDS > 10 VDS(on), ID = 200 mA
gFS
80 mS
Input Capacitance – Eingangskapazitt
VDS = 25 V, f = 1 MHz
Ciss
50 pF
Output Capacitance – Ausgangskapazitt
VDS = 25 V, f = 1 MHz
Coss
25 pF
Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazitt
VDS = 25 V, f = 1 MHz
Crss
5 pF
Turn-On Time – Einschaltzeit
VDD= 30 V, RL= 150 Ω, ID= 0.2 A, VGS= 10 V, RG= 25 Ω
ton
20 ns
Turn-Off Delay Time – Ausschaltverzgerung
VDD= 30 V, RL= 150 Ω, ID= 0.2 A, VGS= 10 V, RG= 25 Ω
toff
20 ns
2
http://www.diotec.com/
Diotec Semiconductor AG
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PDF描述
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參數(shù)描述
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