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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBT9015C |
| 廠(chǎng)商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/3頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MMBT9015C |
UTC MMBT9015
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD. 1
QW-R206-023,A
PRE-AMPLIFIER, LOW LEVEL &
LOW NOISE
FEATURES
*High total power dissipation. (450mW)
*Excellent hFE linearity.
*Complementary to UTC MMBT9014
MARKING
SOT-23
1
2
3
1: EMITTER 2: BASE 3: COLLECTOR
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-base voltage
VCBO
-50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
-45
V
Emitter-base voltage
VEBO
-5
V
Collector current
Ic
-100
mA
Collector dissipation
Pc
225
mW
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage
BVCBO
Ic=-100
A, IE=0
-50
V
Collector-emitter breakdown voltage
BVCEO
Ic=-1mA, IB=0
-45
V
Emitter-base breakdown voltage
BVEBO
IE=-100
A, Ic=0
-5
V
Collector cutoff current
ICBO
VCB=-50V, IE=0
-50
nA
Emitter cutoff current
IEBO
VEB=-5V, IC=0
-100
nA
DC current gain
hFE
VCE=-5V, Ic=-1mA
60
200
600
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
Ic=-100mA, IB=-5mA
-0.2
-0.7
V
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat)
Ic=-100mA, IB=-5mA
-0.82
-1.0
V
Base-emitter on voltage
VBE(on)
VCE=-5V, Ic=-2mA
-0.6
-0.65
-0.75
V
Output Capacitance
Cob
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
4.5
7.0
pF
Current gain-Bandwidth Porduct
fT
VCE=-5V, Ic=-10mA
100
190
MHz
Noise Figure
NF
VCE=-5V, Ic=-0.2mA
f=1KHz, Rs=1K
0.7
10
dB
15
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT9015A | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT945G-K-AL3-R | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT945G-P-AE3-R | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT945G-R-AE3-R | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT945G-R-AL3-R | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT918 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MMBT918_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT918LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA 06 LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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