參數(shù)資料
型號： MMBT945G-R-AL3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 0K
代理商： MMBT945G-R-AL3-R
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MMBT945
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1of 4
Copyright 2010 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R206-094.B
AUDIO FREQUENCY
AMPLIFIER HIGH FREQUENCY
OSC NPN TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC MMBT945 is an audio frequency amplifier high
frequency OSC NPN transistor.
FEATURES
* Collector-Emitter Voltage:
BVCBO=50V
* Collector Current up to 150mA
* High hFE Linearity
* Complimentary to UTC MMBT733
ORDERING INFORMATION
Pin Assignment
Ordering Number
Package
1
2
3
Packing
MMBT945G-x-AE3-R
SOT-23
E
B
C
Tape Reel
MMBT945G-x-AL3-R
SOT-323
E
B
C
Tape Reel
MARKING
相關PDF資料
PDF描述
MMBT945G-Q-AL3-R 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT945G-P-AL3-R 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT945G-K-AE3-R 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT945G-Q-AE3-R 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA06/E8 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA 06 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 14 LT1 功能描述:達林頓晶體管 AF Darlington NPN 30V 0.3A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA 42 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF GP BJT NPN 300V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 56 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF GP BJT PNP 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 92 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF GP BJT PNP 300V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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