參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5551
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 96K
代理商： MMBT5551
MMBT5551
MMBT5551
NPN
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflchenmontage
NPN
Version 2007-11-09
Dimensions - Mae [mm]
1 = B
2 = E
3 = C
Power dissipation – Verlustleistung
250 mW
Plastic case
Kunststoffgehuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMBT5551
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
B open
VCEO
160 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
E open
VCBO
180 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
6 V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
250 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
600 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhltnis 2)
IC = 1 mA, VCE = 5 V
MMBT5550
MMBT5551
hFE
60
80
–
IC = 10 mA, VCE = 5 V
MMBT5550
MMBT5551
hFE
60
80
–
250
IC = 50 mA, VCE = 5 V
MMBT5550
MMBT5551
hFE
20
30
–
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sttigungsspg. 2)
IC = 10 mA, IB = 1 mA
MMBT5550
MMBT5551
VCEsat
–
0.15 V
IC = 50 mA, IB = 5 mA
MMBT5550
MMBT5551
VCEsat
–
0.25 V
0.20 V
1
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss
2
Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhltnis ≤ 2%
Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
2.
5
m
ax
1.
3
±
0.
1
1.1
0.4
2.9 ±0.1
1
2
3
Type
Code
1.9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT6427LT3 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT7002W 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MMBT9015C 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT9015A 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT945G-K-AL3-R 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT5551 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORNPN160V0.6ASOT23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR,NPN,160V,0.6A,SOT23
MMBT5551 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
MMBT5551_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5551-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS NPN 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5551-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS NPN 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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