參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5551
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 96K
代理商： MMBT5551
MMBT5551
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
Base-Emitter saturation voltage – Basis-Emitter-Sttigungsspannung 2)
IC = 10 mA, IB = 1 mA
MMBT5551
VBEsat
–
1.0 V
IC = 50 mA, IB = 5 mA
MMBT5551
VBEsat
–
1.0 V
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
VCB = 120 V, (E open)
MMBT5551
ICBO
–
50 nA
VCB = 120 V, Tj = 100°C, (E open)
MMBT5551
ICBO
–
50 A
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
VEB = 4 V, (C open)
IEBO
–
50 nA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
IC = 10 mA, VCE = 10 V, f = 100 MHz
fT
100 MHz
–
300 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazitt
VCB = 10 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz
CCBO
–
6 pF
Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazitt
VEB = 0.5 V, IC = ic = 0, f = 1 MHz
CEBO
–
30 pf
Noise figure – Rauschzahl
VCE = 5 V, IC = 200 A, RG = 2 kΩ,
f = 30 Hz ... 15 kHz
MMBT5551
F
–
8 dB
Thermal resistance junction to ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 420 K/W 1)
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementre PNP-Transistoren
MMBT5401
Marking - Stempelung
MMBT5551 = 3S
2
Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhltnis ≤ 2%
1
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss
2
http://www.diotec.com/
Diotec Semiconductor AG
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MMBT9015C 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBT5551 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
MMBT5551_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5551-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS NPN 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5551-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS NPN 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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