參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5550LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 176K
代理商： MMBT5550LT3
MMBT5550LT1 MMBT5551LT1
http://onsemi.com
638
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100
1.0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
Cibo
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
0.3
0.7
3.0
7.0
Cobo
10.2 V
Vin
10 s
INPUT PULSE
VBB
-8.8 V
100
RB
5.1 k
0.25 F
Vin
100
1N914
Vout
RC
VCC
30 V
3.0 k
tr, tf ≤ 10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
Values Shown are for IC @ 10 mA
TJ = 25°C
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1000
0.3
1.0
10
20 30 50
0.5
0.2
t,TIME
(ns)
10
20
30
50
100
200
300
500
2.0
100 200
IC/IB = 10
TJ = 25°C
tr @ VCC = 120 V
3.0 5.0
tr @ VCC = 30 V
td @ VEB(off) = 1.0 V
VCC = 120 V
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
5000
t,TIME
(ns)
50
100
200
300
500
3000
2000
1000
0.3
1.0
10
20 30 50
0.5
0.2
2.0
100 200
3.0 5.0
IC/IB = 10
TJ = 25°C
tf @ VCC = 120 V
tf @ VCC = 30 V
ts @ VCC = 120 V
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
2.5
qVC for VCE(sat)
qVB for VBE(sat)
Figure 5. Temperature Coefficients
TJ = -55°C to +135°C
V,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)°
θ
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
0.1
0.2
0.5
3.0
30
0.3
Figure 6. Switching Time Test Circuit
Figure 7. Capacitances
Figure 8. Turn–On Time
Figure 9. Turn–Off Time
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5550 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5551L-C-AE3-R 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5551G-A-AE3-R 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5551-A-AE3-R 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5551G-C-AE3-R 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT5550LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5550NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
MMBT5551 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5551 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORNPN160V0.6ASOT23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR,NPN,160V,0.6A,SOT23
MMBT5551 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
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