參數(shù)資料
型號(hào): MMBT5550LT3
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
文件頁(yè)數(shù): 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 124K
代理商: MMBT5550LT3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5551LT3 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5550LT3 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5550 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5551L-C-AE3-R 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5551G-A-AE3-R 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT5550LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5550NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
MMBT5551 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5551 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORNPN160V0.6ASOT23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR,NPN,160V,0.6A,SOT23
MMBT5551 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO