參數(shù)資料
型號： MMBT5401LT1
廠商： RECTRON LTD
元件分類： 小信號晶體管
中文描述： 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 459K
代理商： MMBT5401LT1
RECTRON
RATING AND CHARACTERISTICS CURVES ( MMBT5401LT1 )
0.2 0.3 0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
10
20 30 50 100 200
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
10
20 30 50 100 200
Θ
V
,T
E
M
P
E
R
A
TU
R
E
C
O
E
FF
IC
IE
N
T(
m
V
/OC
)
t,T
IM
E
(n
s)
t,T
IM
E
(n
s)
C
,C
A
P
A
C
IT
A
N
C
E
(p
F)
Figure 5.Temperature Coefficients
IC,COLLECTOR CURRENT(mA)
Figure 7.Turn-On Time
Figure 8.Turn-Off Time
VR,REVERSE VOLTAGE(VOLTS)
Figure 6.Capacitances
0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10
20 30 50 100
2.5
100
Cibo
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
TJ = -55
OCto 135OC
TJ =25
OC
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
1000
100
200
300
500
700
10
20
30
50
70
tr @ VCC = 120V
tr @ VCC = 30V
td @ VBE(off) = 1.0 V
VCC= 120 V
2000
100
200
300
500
700
20
30
50
70
1000
tf @ VCC = 30 V
ΘVC for VCE(sat)
ΘVB for VBE(sat)
Cobo
TJ =25
OC
IC/IB = 10
TJ =25
OC
IC/IB = 10
tf @ VCC = 120V
ts @ VCC = 120V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5551S62Z 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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MMBT5551 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
MMBT6427LT3 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT7002W 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
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參數(shù)描述
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MMBT5401LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MMBT5401LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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