參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5401LT1
廠商： RECTRON LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
中文描述： 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 459K
代理商： MMBT5401LT1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (@TA=25OC unless otherwise noted)
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
Chatacteristic
Collector-Emitter Breakdown Voltage (IC= -1.0 mAdc, IB= 0)
Collector-Base Breakdown Voltage (IC= -100Adc, IE= 0)
Emitter-Base Breakdown Voltage (IE= -10Adc, IC= 0)
(VCE= -120Vdc, IE=0, TA= 100OC)
Collector Cutoff Current (VCB= -120Vdc,IE=0)
DC Current Gain (IC= -1.0mAdc, VCE= -5.0Vdc)
(IC= -50mAdc, VCE= -5.0Vdc)
(IC= -10mAdc, VCE= -5.0Vdc)
V(BR)CEO
-150
-
Vdc
V(BR)CBO
-160
-
Vdc
V(BR)EBO
-5.0
-
Vdc
ICES
-
-50
-
-50
hFE
50
-
60
240
50
-
Adc
nAdc
Symbol
Min
Max
Unit
Collector-Emitter Saturation Voltage (IC= -10mAdc, IB= -1.0mAdc)
(IC= -50mAdc, IB= -5.0mAdc)
Vdc
VCE(sat)
-
-0.2
-
-0.5
Vdc
VBE(sat)
-
-1.0
-
-1.0
Base-Emitter Saturation Voltage (IC= -10Adc, IB=-1.0mAdc)
(IC= -50mAdc, IB= -5.0mAdc)
RECTRON
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
fT
100
300
MHz
Current-Gain-Bandwidth Product (IC= -10mAdc, VCE= -10Vdc, f= 100MHz)
Cobo
-
6.0
pF
-
hfe
NF
40
200
-
8.0
dB
Output Capacitance (VCB= -10Vdc, IE= 0, f= 1.0MHz)
Noise Figure (VCE= -5.0Vdc, IC= -200Adc, RS=10, f= 1.0kHz)
Small-Signal Current Gain (VCE= -10Vdc, IC= -1.0mAdc, f= 1.0kHz)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBT5401LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MMBT5401LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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