參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5401-13
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大?。?/td> 85K
代理商： MMBT5401-13
DS30057 Rev. 6 - 2
3 of 3
MMBT5401
www.diodes.com
0.01
0.1
1.0
10.0
1
10
100
1000
T= 25°C
A
T= -50°C
A
T = 150°C
A
V,
C
O
LLECT
O
RT
O
EMITTER
CE(SA
T)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
(V)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 2, Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
I
C
I
B
=10
0
50
100
25
50
75
100
125
150
175
200
P
,
POWER
D
ISSIP
A
TION
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
Fig. 1, Max Power Dissipation vs
Ambient Temperature
150
200
250
300
350
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
1.0
10
100
V
,
BASE
EMITTER
V
O
L
T
AGE
(V)
BE(ON)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 4, Base Emitter Voltage vs. Collector Current
T = 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
V= 5V
CE
1
10
100
1000
10,000
1
10
100
1000
V
= 5V
CE
h
,
DC
CURRENT
GAIN
(N
O
RMALIZED)
FE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 3, DC Current Gain vs. Collector Current
T= 25°C
A
T= -50°C
A
T = 150°C
A
10
100
1000
1
10
100
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
t
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 5, Gain Bandwidth Product vs Collector Current
V= 10V
CE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5401-T1 500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5401G-B-AE3-R 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5401G-A-AE3-R 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5401L-A-AE3-R 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5401-C-AE3-R 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBT5401-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS PNP 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401-G 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=-150V IC=-600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
MMBT5401LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR PNP 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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