參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5401-13
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： MMBT5401-13
DS30057 Rev. 6 - 2
2 of 3
MMBT5401
www.diodes.com
Month
Jan
Feb
March
Apr
May
Jun
Jul
Aug
Sep
Oct
Nov
Dec
Code
12
3
4
5
6
7
89
O
N
D
Date Code Key
K4M = Product Type Marking Code
YM = Date Code Marking
Y = Year ex: N = 2002
M = Month ex: 9 = September
K4M
YM
Marking Information
Notes:
3. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
4. For Packaging Details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
5. For Lead Free/RoHS Compliant version part number, please add "-F" suffix to the part number above. Example: MMBT5401-7-F.
Device
Packaging
Shipping
MMBT5401-7
SOT-23
3000/Tape & Reel
Ordering Information (Note 4)
Year
1998
1999
2000
2001
2002
2003
2004
2005
2006
2007
2008
2009
Code
JK
L
M
N
P
R
ST
U
V
W
Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 3)
Collector-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
-160
V
IC = -100
mA, IE = 0
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
-150
V
IC = -1.0mA, IB = 0
Emitter-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
-5.0
V
IE = -10
mA, IC = 0
Collector Cutoff Current
ICBO
-50
nA
mA
VCB = -120V, IE = 0
VCB = -120V, IE = 0, TA = 100
°C
Emitter Cutoff Current
IEBO
-50
nA
VEB = -3.0V, IC = 0
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
DC Current Gain
hFE
50
60
50
240
IC = -1.0mA, VCE = -5.0V
IC = -10mA, VCE = -5.0V
IC = -50mA, VCE = -5.0V
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
-0.2
-0.5
V
IC = -10mA, IB = -1.0mA
IC = -50mA, IB = -5.0mA
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
-1.0
V
IC = -10mA, IB = -1.0mA
IC = -50mA, IB = -5.0mA
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Output Capacitance
Cobo
6.0
pF
VCB = -10V, f = 1.0MHz, IE = 0
Small Signal Current Gain
hfe
40
200
VCE = -10V, IC = -1.0mA,
f = 1.0kHz
Current Gain-Bandwidth Product
fT
100
300
MHz
VCE = -10V, IC = -10mA,
f = 100MHz
Noise Figure
NF
8.0
dB
VCE = -5.0V, IC = -200
mA,
RS = 10
W, f = 1.0kHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5401-T1 500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5401G-B-AE3-R 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5401G-A-AE3-R 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5401L-A-AE3-R 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5401-C-AE3-R 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT5401-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS PNP 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS PNP 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401-G 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=-150V IC=-600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
MMBT5401LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR PNP 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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