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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBT5401G-B-AE3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | MMBT5401G-B-AE3-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MMBT5401
PNP SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 4
Copyright 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R206-011.F
HIGH VOLTAGE SWITCHING
TRANSISTOR
FEATURES
*Collector-Emitter Voltage: VCEO=-150V
*High Current Gain
Lead-free: MMBT5401L
Halogen-free: MMBT5401G
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free Plating
Halogen-Free
Package
1
2
3
Packing
MMBT5401-x-AE3-R
MMBT5401L-x-AE3-R MMBT5401G-x-AE3-R
SOT-23
E
B
C
Tape Reel
MARKING
2L.
Lead Plating
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5401G-A-AE3-R | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5401L-A-AE3-R | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5401-C-AE3-R | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5401L-B-AE3-R | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5401G-C-AE3-R | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT5401LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR PNP 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBT5401LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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