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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT5401-C-AE3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | MMBT5401-C-AE3-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MMBT5401
PNP SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 4
Copyright 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R206-011.F
HIGH VOLTAGE SWITCHING
TRANSISTOR
FEATURES
*Collector-Emitter Voltage: VCEO=-150V
*High Current Gain
Lead-free: MMBT5401L
Halogen-free: MMBT5401G
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free Plating
Halogen-Free
Package
1
2
3
Packing
MMBT5401-x-AE3-R
MMBT5401L-x-AE3-R MMBT5401G-x-AE3-R
SOT-23
E
B
C
Tape Reel
MARKING
2L.
Lead Plating
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5401L-B-AE3-R | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5401G-C-AE3-R | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5401-A-AE3-R | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5401-B-AE3-R | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5401L99Z | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT5401-G | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=-150V IC=-600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| MMBT5401LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR PNP 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBT5401LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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