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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT4403T/R7 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 315K |
| 代理商： | MMBT4403T/R7 |
MMBT4403
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVES
100
150
200
250
300
350
400
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, I
C (mA)
hF
E
T
J = 25 C
T
J = 150 C
T
J = 100 C
V
CE = 10V
0.200
0.300
0.400
0.500
0.600
0.700
0.800
0.900
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, I
C (mA)
V
BE
(o
n
)
T
J = 25C
T
J = 100C
T
J =150C
Fig. 3. Typical hFE vs Collector Current
Fig. 4. Typical VBE vs Collector Current
0.000
0.050
0.100
0.150
0.200
0.250
0.300
0.350
0.400
0.450
0.500
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, I
C (mA)
V
CE
(sat
)
T
J = 25C
T
J = 150C
I
C/IB = 10
Fig. 5. Typical VCE (sat) vs Collector Current
1
10
100
0.1
1
10
100
Reverse Voltage (V)
C
ap
ac
ita
n
ce
(p
F
)
C
OB (CB)
C
IB (EB)
Fig. 6. Typical Capacitances vs Reverse Voltage
REV.0.1-MAR.5.2009
PAGE .
3
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MMBT4403WT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT489LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT489LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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