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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBT4403T/R7 |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大小： | 315K |
| 代理商： | MMBT4403T/R7 |
MMBT4403
FEATURES
PNP epitaxial silicon, planar design
Collector-emitter voltage VCE = -40V
Collector current IC =-600mA
Complimentary (NPN) device: MMBT4401
MECHANICAL DATA
Case: SOT-23
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx Weight: 0.008 grams
Marking: M3A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector - Emitter Voltage
VCEO
-40
V
Collector - Base Voltage
VCBO
-40
V
Emitter – Base Voltage
VEBO
-5.0
V
Collector Current - Continuous
IC
-600
mA
Max Power Dissipation (Note 1)
PTOT
225
mW
Junction and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to 150
℃
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Thermal Resistance , Junction to Ambient (Note 1)
RθJ A
556
℃
/W
Note 1: Transistor mounted on FR-4 board 70 x 60 x 1mm. using minimum recommended pad.
PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
VOLTAGE
POWER
40V
225mW
2
Emitter
Top View
3
Collector
1
Base
2
Emitter
Top View
3
Collector
1
Base
BASE
3
COLLECTOR
EMITTER
2
1
BASE
3
COLLECTOR
EMITTER
BASE
3
COLLECTOR
EMITTER
2
1
PAGE . 1
REV.0.1-MAR.5.2009
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT4403T/R13 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| MMBT4403W | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4403WT/R7 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4403WT/R13 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MMBT4403WT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT489LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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