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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT4403T/R7 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 315K |
| 代理商： | MMBT4403T/R7 |
MMBT4403
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25C, unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
Test Condition
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector - Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO IC=-1.0mA, IB=0
-40
-
V
Collector - Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO IC=-100uA, IE=0
-40
-
V
Emitter - Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO IE=-100uA, IC=0
-5.0
-
V
Base Cutoff Current
IBEV
VCE=-35V, VEB=-0.4V
-
-100
nA
Collector Cutoff Current
ICEX
VCE=-35V, VEB=-0.4V
-
-100
nA
DC Current Gain
hFE
IC=-0.1mA, VCE=-1.0V
IC=-1.0mA, VCE=-1.0V
IC=-10mA, VCE=-1.0V
IC=-150mA, VCE=-2.0V
IC=-500mA, VCE=-2.0V
30
60
100
20
-
300
-
Collector - Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
IC=-150mA, IB=-15 mA
IC=-500mA, IB=-50mA
-
-0.4
-0.75
V
Base - Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
IC=-150mA, IB=-15mA
IC=-500mA, IB=-50mA
-0.75
-
-0.95
-1.3
V
Current-Gain – Bandwidth Product
fT
IC=-20mA, VCE=-10V,
f=100MHz
200
-
MHz
Collector - Base Capacitance
CCBO
VCB=-5.0V, IE=0, f=1MHz
-
8.5
pF
Emitter - Base Capacitance
CEBO
VCB=-0.5V, IC=0, f=1MHz
-
30
pF
Delay Time
td
-
15
ns
Rise Time
tr
VCC=-30V, VBE=-2.0V,
IC=-150mA, IB1=-15mA
-
20
ns
Storage Time
ts
-
225
ns
Fall Time
tf
VCC=-30V, IC=-150mA,
IB1=IB2=15mA
-
30
ns
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS
Fig. 1. Turn-On Time
Fig. 2. Turn-Off Time
C
S < 10pF
200
1.0K
1N916
-30V
0
+2V
10 to 100ns
Duty Cycle ~ 2.0%
-16V
< 2ns
C
S < 10pF
200
1.0K
1N916
-30V
0
+2V
10 to 100ns
Duty Cycle ~ 2.0%
-16V
< 2ns
C
S < 10pF
200
1.0K
1N916
-30V
0
+14V
1 to 100us
Duty Cycle = 2.0%
-16V
<20ns
+4V
C
S < 10pF
200
1.0K
1N916
-30V
0
+14V
1 to 100us
Duty Cycle = 2.0%
-16V
<20ns
+4V
REV.0.1-MAR.5.2009
PAGE . 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT4403T/R13 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4403 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4403W | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4403WT/R7 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4403WT/R13 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MMBT4403WT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT489LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT489LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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