參數(shù)資料
型號： MMBT4403WT/R7
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 267K
代理商： MMBT4403WT/R7
MMBT4403W
FEATURES
PNP epitaxial silicon, planar design
Collector-emitter voltage VCE = -40V
Collector current IC =-600mA
Complimentary (NPN) device: MMBT4401W
MECHANICAL DATA
Case: SOT-323
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx Weight: 0.005gram
Marking: M3W
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector - Emitter Voltage
VCE0
-40
V
Collector - Base Voltage
VCB0
-40
V
Emitter – Base Voltage
VEB0
-5.0
V
Collector Current - Continuous
IC
-600
mA
Max Power Dissipation (Note 1)
PTOT
200
mW
Junction and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to 150
℃
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Thermal Resistance , Junction to Ambient (Note 1)
RθJ A
625
℃
/W
Note 1: Transistor mounted on FR-4 board 70 x 60 x 1mm. using minimum recommended pad.
PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
VOLTAGE
POWER
40V
200mW
2
Emitter
Top View
3
Collector
1
Base
2
Emitter
Top View
3
Collector
1
Base
BASE
3
COLLECTOR
EMITTER
2
1
BASE
3
COLLECTOR
EMITTER
BASE
3
COLLECTOR
EMITTER
2
1
.087(2.2)
.054(1.35)
.056(1.40)
.006(.15)
.016(.40)
.087(2.2)
.044(1.1)
.004(.10)MIN.
.070(1.8)
.045(1.15)
.047(1.20)
.004(.10)MAX.
.002(.05)
.0
08(.20)
.078(2.0)
.035(0.9)
SOT-323
Unit: inch (mm)
PAGE . 1
REV.0.1-MAR.5.2009
PAGE . 1
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
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PDF描述
MMBT4403WT/R13 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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MMBT4403/E9 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT4403 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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