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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBT3906G-AL3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 134K |
| 代理商： | MMBT3906G-AL3-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MMBT3906
PNP SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 3
Copyright 2009 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R206-013.D
GENERAL PURPOSE
APPLIATION
FEATURES
* Collector-Emitter Voltage: VCEO=40V
* Collector Dissipation:
PD(MAX)=350mW
* Complementary to UTC MMBT3904
Lead-free:
MMBT3906L
Halogen-free: MMBT3906G
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free
Halogen Free
Package
1
3
Packing
MMBT3906-AE3-R MMBT3906L-AE3-R MMBT3906G-AE3-R
SOT-23
E
B
C
Tape Reel
MMBT3906-AL3-R MMBT3906L-AL3-R MMBT3906G-AL3-R
SOT-323
E
B
C
Tape Reel
MARKING
2A.
L: Lead Free
G: Halogen Free
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MMBT3906RF | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906RFG | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MMBT3906-HF | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 Transistor I=-200mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| MMBT3906-HF_12 | 制造商:COMCHIP 制造商全稱:Comchip Technology 功能描述:General Purpose Transistor |
| MMBT3906K | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP EPITAXIAL SILICON RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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