參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT3906/E8
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大?。?/td> 57K
代理商： MMBT3906/E8
MMBT3906
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88225
www.vishay.com
10-May-02
3
Electrical Characteristics (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Delay Time (see fig. 1)
td
–IB1 = 1mA, –IC = 10mA
——
35
ns
Rise Time (see fig. 1)
tr
–IB1 = 1mA, –IC = 10mA,
——
35
ns
Storage Time (see fig. 2)
ts
IB1 = –IB2 = 1mA, –IC = 10mA
——
225
ns
Fall Time (see fig. 2)
tf
IB1 =–IB2 = 1mA, –IC = 10mA
——
75
ns
Fig. 2: Test circuit for storage and fall time
* total shunt capacitance of test jig and connectors
Fig. 1: Test circuit for delay and rise time
* total shunt capacitance of test jig and connectors
0.59 (15)
0.2 (5)
0.03 (0.8)
0.30 (7.5)
0.12 (3)
.04 (1)
0.06 (1.5)
0.20 (5.1)
.08 (2)
.04 (1)
0.47 (12)
Dimensions in inches
and (millimeters)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT3906/E9 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT3906 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT3906/E9 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT3906 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT3906-GS18 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBT3906FA-7B 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:GENERAL PURPOSE TRANSISTOR X2-DFN0806-3 T&R 10K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANS PNP 40V 200MW X2-DFN0806-3
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