參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2907AWT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： General Purpose Transistor PNP Silicon(硅PNP通用晶體管)
中文描述： 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 35K
代理商： MMBT2907AWT1
MMBT2907AWT1
http://onsemi.com
3
PACKAGE DIMENSIONS
C
N
A
L
D
G
S
B
H
J
K
3
1
2
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
S
MIN
0.071
0.045
0.032
0.012
0.047
0.000
0.004
0.017 REF
0.026 BSC
0.028 REF
0.079
MAX
0.087
0.053
0.040
0.016
0.055
0.004
0.010
MIN
1.80
1.15
0.80
0.30
1.20
0.00
0.10
0.425 REF
0.650 BSC
0.700 REF
2.00
MAX
2.20
1.35
1.00
0.40
1.40
0.10
0.25
MILLIMETERS
INCHES
0.095
2.40
0.05 (0.002)
STYLE 3:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
SC70/SOT323
CASE 41904
ISSUE L
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
1.9
0.075
0.65
0.025
0.65
0.025
0.9
0.035
0.7
0.028
mm
inches
SCALE 10:1
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PDF描述
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參數(shù)描述
MMBT2907AWT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2907AWT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -60V
MMBT2907FW 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:General Purpose Transistor
MMBT2907-G 制造商:COMCHIP 制造商全稱:Comchip Technology 功能描述:GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
MMBT2907L 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Transistor
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