參數(shù)資料
型號： MMBT2907AT-13
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： MMBT2907AT-13
DS30269 Rev. 3 - 2
4 of 4
MMBT2907AT
www.diodes.com
1
10
1000
100
1
10
100
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 7, Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
V= 5V
CE
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
1
10
100
V
,
BASE
EMITTER
VOL
T
AGE
(V)
BE(ON)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 6, Base Emitter Voltage
vs. Collector Current
V= 5V
CE
T = 150°C
A
T = 25°C
A
T = -50°C
A
1
10
1000
100
1
10
1000
100
h
,
DC
CURRENT
FE
GAIN
(NORMALIZED)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 5, DC Current Gain vs
Collector Current
V= 5V
CE
T= 150°C
A
T= 25°C
A
T = -50°C
A
0
0.1
0.2
0.3
0.6
0.5
0.4
1
10
100
1000
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 4, Collector Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current
V,
C
O
LLECT
O
RT
O
EMITTER
CE(SA
T
)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
(V)
I
C
I
B
=10
T = 150°C
A
T= 25°C
A
T = -50°C
A
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PDF描述
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MMBT2907AT-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT -60V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MMBT2907AW 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:PNP General Purpose Transistors
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