參數(shù)資料
型號： MMBT2907AT-13
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 66K
代理商： MMBT2907AT-13
DS30269 Rev. 3 - 2
3 of 4
MMBT2907AT
www.diodes.com
I , BASE CURRENT (mA)
B
Fig. 3 Typical Collector Saturation Region
V,
C
O
LLECT
O
R-EMITTER
V
O
L
T
AGE
(V)
CE
0.001
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.1
1
10
100
I = 1mA
C
I= 10mA
C
I = 30mA
C
I = 100mA
C
I = 300mA
C
1.0
5.0
20
10
30
-0.1
-10
-1.0
-30
C,
CAP
A
CIT
ANCE
(pF)
REVERSE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Capacitances (Typical)
Cobo
Cibo
0
100
200
T , AMBIENT TEMPERATURE (C)
A
Fig. 1 Power Derating Curve, Total Package
P
,
POWER
D
ISSIP
A
T
ION
(mW)
d
0
50
100
150
200
相關PDF資料
PDF描述
MMBT2907AWT/R13 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907AW 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907AWT3 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907A 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMPQ2907/L99Z 800 mA, 60 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT2907AT-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT -60V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2907AT-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT -60V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2907A-TP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 350mW, 600mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2907AT-TP 功能描述:TRANS SS PNP 60V 600MA SOT-523 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
MMBT2907AW 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:PNP General Purpose Transistors
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