參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2907A-GS18
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 85K
代理商： MMBT2907A-GS18
VISHAY
MMBT2907A
Document Number 85143
Rev. 1.2, 27-Oct-04
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
Package Dimensions in mm (Inches)
Figure 1. Delay and Rise Time
To Oscilloscope
with Rise Time
INPUT
Zo =50
PRF = 150 PPS
Rise Time
≤ 2.0 ns
P.W.< 200 ns
0
-16 V
-30V
19233
1k
50
200
200 ns
≤ 5.0 ns
Figure 2. Storage and Fall Time
INPUT
Zo =50
PRF = 150 PPS
Rise Time
≤ 2.0 ns
P.W.< 200 ns
0
-30 V
19234
50
200 ns
To Oscilloscope
with Rise Time
≤ 5.0 ns
- 6.0 V
+15V
1k
1k
37
2.0 (0.079)
0.9 (0.035)
0.95 (0.037)
0.52 (0.020)
1
2
3
17418
2.8 (.110)
3.1 (.122)
0.4 (.016)
0.95 (.037)
0.1 (.004) max.
1.20(.047)
1.43
(.056)
0.4 (.016)
0.098 (.005)
0.175 (.007)
0.95
(.037)
1.15
(.045)
2.35 (.092)
2.6 (.102)
ISO Method E
Mounting Pad Layout
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2907ALT1
MMBT2907A 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907LT1 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3904-T1 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3904LT1
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT2907A-HF 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=60V IC=600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
MMBT2907AK 功能描述:兩極晶體管 - BJT EPITAXIAL SILICON RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2907AL 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors PNP Silicon
MMBT2907AL-AE3-6-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
MMBT2907AL-AE3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
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