參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2907A-GS18
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： MMBT2907A-GS18
MMBT2907A
Document Number 85143
Rev. 1.2, 27-Oct-04
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
1
3
2
E
B
C
3
1
2
18978
Small Signal Transistor (PNP)
Features
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switch-
ing and amplifier applications.
Mechanical Data
Case: SOT-23 Plastic case
Weight: approx. 8.8 mg
Packaging Codes/Options:
GS18 / 10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box
GS08 / 3 k per 7" reel (8 mm tape), 15 k/box
Parts Table
Absolute Maximum Ratings
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
1) FR-5 Board = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2) Alumina Substrate = 0.4 x 0.3 x 0.024 x in. 99.5 % alumina.
Maximum Thermal Resistance
Part
Ordering code
Marking
Remarks
MMBT2907A
MMBT2907A-GS18 or MMBT2907A-GS08
2F
Tape and Reel
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Collector - base voltage
- VCBO
60
V
Collector - emitter voltage
- VCEO
60
V
Emitter - base voltage
- VEBO
5.0
V
Collector current
- IC
600
mA
Power dissipation1)
TA = 25 °C
Ptot
225
mW
Derate above 25 °C
Ptot
1.8
mW/°C
Power dissipation2)
TA = 25 °C
Ptot
300
mW
Derate above 25 °C
Ptot
2.4
mW/°C
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Thermal resistance junction to
ambient air FR-5 board
RthJA
556
°C/W
Thermal resistance junction to
ambient air alumina substrate
RthJA
417
°C/W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
TS
- 55 to + 150
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2907ALT1
MMBT2907A 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907LT1 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3904-T1 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3904LT1
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT2907A-HF 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=60V IC=600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
MMBT2907AK 功能描述:兩極晶體管 - BJT EPITAXIAL SILICON RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2907AL 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors PNP Silicon
MMBT2907AL-AE3-6-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
MMBT2907AL-AE3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
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