參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2907A-GS18
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 85K
代理商： MMBT2907A-GS18
www.vishay.com
2
Document Number 85143
Rev. 1.2, 27-Oct-04
VISHAY
MMBT2907A
Vishay Semiconductors
Electrical DC Characteristics
1) Pulse test: Pulse width
≤ 300 s, duty cycle ≤ 2.0 %
Electrical AC Characteristics
Switching Characteristics
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
DC current gain
- VCE = 10 V, - IC = 0.1 mA
hFE
75
- VCE = 10 V, - IC = 1 mA
hFE
100
- VCE = 10 V, - IC = 10 mA
hFE
100
- VCE = 10 V, - IC = 150 mA
1)
hFE
100
300
- VCE = 10 V, - IC = 500 mA
1)
hFE
50
Collector cut - off current
- VEB = 0.5 V, - VCE = 30 V
- ICEV
50
nA
- VCB = 50 V, IE = 0
- ICBO
0.01
A
- VCB = 50 V, IE = 0, TA = 125 °C
- ICBO
10
A
Emitter - base cut - off current
- VEB = 0.5 V, - VCE = 30 V
- IBL
50
nA
Collector - emiter saturation
voltage1)
- IC = 150 mA, - IB = 15 mA
- VCEsat
0.4
V
- IC = 500 mA, - IB = 50 mA
- VCEsat
1.6
V
Base - emitter saturation voltage - IC = 150 mA, - IB = 15 mA
- VBEsat
1.3
V
- IC = 500 mA, - IB = 50 mA
- VBEsat
2.6
V
Collector - emitter breakdown
voltage1)
- IC = 10 A, IB = 0
- V(BR)CEO
60
V
Collector - base breakdown
voltage
- IC = 10 A, IE = 0
- V(BR)CBO
60
V
Emitter - base breakdown
voltage
- IE = 10 A, IC = 0
- V(BR)EBO
5.0
V
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Gain - bandwidth product
- VCE = 20 V, - IC = 50 mA,
f = 100 MHz
fT
200
MHz
Output capacitance
- VCB = 10 V, f = 1 MHz, IE = 0
Cob
8pF
Input capacitance
- VEB = 2 V, f = 1 MHz, IC = 0
Cibo
30
pF
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Turn - ON time
- IB1 = 15 mA, - IC = 150 mA,
- VCC = 30 V
ton
45
ns
Delay time
- IB1 = 15 mA, - IC = 150 mA,
- VCC = 30 V
td
10
ns
Rise time
- IB1 = 15 mA, - IC = 150 mA,
- VCC = 30 V
tr
40
ns
Turn - OFF
- IB1 = 15 mA, - IC = 150 mA,
- VCC = 6 V
toff
100
ns
Storage time
- IB1= - IB2 = 15 mA,
- IC = 150 mA, - VCC = 6 V
ts
80
ns
Fall time
- IB1 = - IB2 = 15 mA,
- IC = 150 mA, - VCC = 6 V
tf
30
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2907ALT1
MMBT2907A 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907LT1 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3904-T1 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3904LT1
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參數(shù)描述
MMBT2907A-HF 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=60V IC=600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
MMBT2907AK 功能描述:兩極晶體管 - BJT EPITAXIAL SILICON RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2907AL 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors PNP Silicon
MMBT2907AL-AE3-6-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱(chēng):UTC-IC 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
MMBT2907AL-AE3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱(chēng):UTC-IC 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
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