參數(shù)資料
型號： MMBT2222ARFG
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 208K
代理商： MMBT2222ARFG
MMBT2222A
300mW, NPN Small Signal Transistor
Small Signal Transistor
Rating and Characteristic Curves
Version : A10
0
50
100
25
50
75
100
125
150
175
200
P
,
POWER
DISSIP
A
TION
(mW)
D
TA , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 1 Max Power Dissipation vs Ambient Temperature
150
200
250
300
350
0
1.0
5.0
20
10
30
0.1
10
1.0
50
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
REVERSE VOLTS (V)
Fig. 2 Typical Capacitance
Cobo
Cibo
1
10
1000
100
0.1
1
10
1000
100
h
,
DC
CURRENT
GAIN
FE
IC , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.3 Typical DC Current Gain vs Collector Current
T = -25°C
A
T = +25°C
A
T = 125°C
A
V= 1.0V
CE
1
10
100
1000
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 4 Gain Bandwidth Product vs. Collector Current
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
V= 5V
CE
1
0.1
10
100
V
,
BASE
EMITTER
VOL
T
AGE
(V)
BE(ON)
IC , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 6 Base Emitter Voltage vs. Collector Current
0.2
0.3
0.4
0.6
0.5
0.8
0.7
1.0
0.9
V= 5V
CE
T= 25°C
A
T= -50°C
A
T = 150°C
A
1
10
100
1000
V
,
COLLECT
OR
T
O
EMITTER
CE(SA
T)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
(V)
IC
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 5 Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
T = 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I
C
I
B
= 10
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PDF描述
MMBT2222AT-13 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222AT/R13 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222A 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222AT/R 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2222AT 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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