參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2222ARFG
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 208K
代理商： MMBT2222ARFG
MMBT2222A
300mW, NPN Small Signal Transistor
Small Signal Transistor
Electrical Characteristics
Units
Collector-Base Breakdown Voltage
IE= 0
V
IB= 0
V
IC= 0
V
IE= 0
μA
VBE(off)= 3.0V
μA
IC= 0
μA
IC= 500mA
IC= 150mA
IC= 10mA
IC= 1mA
IC= 0.1mA
Collector-Emitter saturation voltage
IB= 50mA
V
Base-Emitter saturation voltage
IB= 50mA
V
VCE= 20V
f= 100MHz
MHz
Output capacitance
VCB= 10V
f= 1.0MHz
pF
Input capacitance
VEB= 0.5V
f= 1.0MHz
pF
VCC=30V VBE(off)=-0.5V IC=150mA IB1=15mA
nS
VCC=30V VBE(off)=-0.5V IC=150mA IB1=15mA
nS
VCC=30V IC=150mA IB1=-IB2=15mA
nS
VCC=30V IC=150mA IB1=-IB2=15mA
nS
Tape & Reel specification
Carrier width
Carrier length
Carrier depth
Sprocket hole
Reel outside diameter
Reel inner diameter
Feed hole width
Sprocke hole position
Punch hole position
Sprocke hole pitch
Embossment center
Overall tape thickness
Tape width
Reel width
-
12.30 ±0.20
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IEBO
VCE(sat)
ICBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
Symbol
2.00 ±0.05
Emitter-Base Breakdown Voltage
0.229 ±0.013
8.10 ±0.20
W
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
T
D1
D2
W1
3.15 ±0.10
2.77 ±0.10
1.22 ±0.10
13.0 ± 0.20
1.75 ±0.10
3.50 ±0.05
4.00 ±0.10
P0
P1
E
F
DC current gain
-
IC= 500mA
IC= 20mA
IC = 0
Transition frequency
8
25
-
VCE= 10V
IE = 0
300
fT
Cobo
hFE
VCE= 10V
40
100
-
VCE= 10V
75
-
300
-
VEB= 3.0V
Min
Max
0.01
Type Number
IC= 10μA
IC= 10mA
IE= 10μA
VCB= 60V
75
40
6
0.01
VBE(sat)
1.0
2.0
50
35
-
55 Min
Cibo
VCE= 10V
Item
Symbol
Dimension(mm)
A
B
C
1.50 ± 0.10
178 ± 1
d
D
10
25
Rise time
tr
-
Delay time
td
-
225
Fall time
tf
-60
Storage time
ts
-
Collector Cut-off Current
VCE= 60V
0.01
-
ICEX
Top Cover Tape
Carieer Tape
Any Additional Label (If Required)
TSC label
W1
D1
D2
D
T
C
d
P1
P0
A
B
F
W
E
Direction of Feed
Version : A10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2222AT-13 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222AT/R13 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222A 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222AT/R 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2222AT 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT2222AT 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222A-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222AT_1 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT2222AT_10 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Plastic-Encapsulate Transistors NPN Silicon
MMBT2222AT_11 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:NPN General Purpose Amplifier
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