參數(shù)資料
型號(hào)： MMBF4393LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 0K
代理商： MMBF4393LT3
MMBF4391LT1 MMBF4392LT1 MMBF4393LT1
http://onsemi.com
512
Figure 10. Effect of IDSS on Drain–Source
Resistance and Gate–Source Voltage
IDSS, ZERO-GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT (mA)
,DRAIN-SOURCE
ON-ST
AT
E
DS(on)r
20
10
30
40
50
30 40 50 60 70
20
RESIST
ANCE
(OHMS)
0
10
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
,GA
TE-SOURCE
VOL
TAGE
GS
V
(VOL
TS)
Tchannel = 25°C
VGS(off)
rDS(on) @ VGS = 0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
70
60
80
90
100
80 90 100 110 120 130 140 150
NOTE 2
The Zero–Gate–Voltage Drain Current (IDSS) is the principle
determinant of other J–FET characteristics. Figure 10 shows
the relationship of Gate–Source Off Voltage (VGS(off)) and
Drain–Source On Resistance (rDS(on)) to IDSS. Most of the de-
vices will be within
±10% of the values shown in Figure 10.
This data will be useful in predicting the characteristic varia-
tions for a given part number.
For example:
Unknown
rDS(on) and VGS range for an MMBF4392
The electrical characteristics table indicates that an
MMBF4392 has an IDSS range of 25 to 75 mA. Figure 10
shows rDS(on) = 52 Ohms for IDSS = 25 mA and 30 Ohms for
IDSS = 75 mA. The corresponding VGS values are 2.2 volts and
4.8 volts.
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PDF描述
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MMBR5179L UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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參數(shù)描述
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