參數(shù)資料
型號(hào)： MMBF4393LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
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代理商： MMBF4393LT3
MMBF4391LT1 MMBF4392LT1 MMBF4393LT1
http://onsemi.com
510
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
Zero–Gate–Voltage Drain Current
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0)
MMBF4391LT1
MMBF4392LT1
MMBF4393LT1
IDSS
50
25
5.0
150
75
30
mAdc
Drain–Source On–Voltage
(ID = 12 mAdc, VGS = 0)
MMBF4391LT1
(ID = 6.0 mAdc, VGS = 0)
MMBF4392LT1
(ID = 3.0 mAdc, VGS = 0)
MMBF4393LT1
VDS(on)
—
0.4
Vdc
Static Drain–Source On–Resistance
(ID = 1.0 mAdc, VGS = 0)
MMBF4391LT1
MMBF4392LT1
MMBF4393LT1
rDS(on)
—
30
60
100
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Input Capacitance
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 1.0 MHz)
Ciss
—
14
pF
Reverse Transfer Capacitance
(VDS = 0, VGS = 12 Vdc, f = 1.0 MHz)
Crss
—
3.5
pF
TYPICAL CHARACTERISTICS
TJ = 25°C
ID, DRAIN CURRENT (mA)
,TURN-ON
DELA
Y
TIME
(ns)
d(on)t
5.0
2.0
20
10
0.5
1.0
3.0
7.0
5.0
1.0
50
100
0.7
2.0
10
20
ID, DRAIN CURRENT (mA)
,RISE
TIME
(ns)
rt
Figure 1. Turn–On Delay Time
Figure 2. Rise Time
RK = RD'
RK = 0
RK = RD'
RK = 0
ID, DRAIN CURRENT (mA)
,TURN-OFF
DELA
Y
TIME
(ns)
d(of
f)
t
Figure 3. Turn–Off Delay Time
RK = RD'
RK = 0
ID, DRAIN CURRENT (mA)
Figure 4. Fall Time
RK = RD'
RK = 0
,F
ALL
TIME
(ns)
ft
MMBF4391
MMBF4392
MMBF4393
30
50
200
500
1000
0.5
1.0
3.0
7.0
5.0
0.7
2.0
10
20 30
50
5.0
2.0
20
10
1.0
50
100
200
500
1000
0.5
1.0
3.0
7.0
5.0
0.7
2.0
10
20 30
50
0.5
1.0
3.0
7.0
5.0
0.7
2.0
10
20 30
50
5.0
2.0
20
10
1.0
50
100
200
500
1000
5.0
2.0
20
10
1.0
50
100
200
500
1000
TJ = 25°C
MMBF4391
MMBF4392
MMBF4393
TJ = 25°C
MMBF4391
MMBF4392
MMBF4393
TJ = 25°C
MMBF4391
MMBF4392
MMBF4393
VGS(off) = 12 V
= 7.0 V
= 5.0 V
VGS(off) = 12 V
= 7.0 V
= 5.0 V
VGS(off) = 12 V
= 7.0 V
= 5.0 V
VGS(off) = 12 V
= 7.0 V
= 5.0 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBF4392LT3 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
MMBF4393 N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
MMBF5457LT3 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
MMBR5179L UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT1815G-GR-AN3-R 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBF4393LT3G 功能描述:JFET SS JFET NCH 30V TR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
MMBF4416 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
MMBF4416_09 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel RF Amplifiers
MMBF4416_Q 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
MMBF4416A 功能描述:JFET N-Channel Switch RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
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