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參數(shù)資料
| 型號： | MJW16206 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS 12 AMPERES 1200 VOLTS - VCES 50 and 150 WATTS |
| 中文描述： | 12 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AE |
| 文件頁數(shù)： | 2/10頁 |
| 文件大小： | 342K |
| 代理商： | MJW16206 |
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
OFF CHARACTERISTICS (1)
(VCE = 850 Vdc, VBE = 0 V)
Emitter–Base Leakage
—
—
—
—
25
25
μ
Adc
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Figure 10)
VCEO(sus)
Vdc
(IC = 3.0 Adc, IB = 400 mAdc)
—
0.15
1.0
(IC = 1.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
5.0
8.0
13
(IC = 6.5 Adc, IB = 1.5 Adc, LB = 0.5
μ
H)
Emitter–Base Avalanche Turn–off Energy (Figure 15)
—
30
—
μ
joules
Output Capacitance
Cob
—
180
350
pF
Collector–Heatsink Capacitance — MJF16206 Isolated Package
(Mounted on a 1
x 2
x 1/16
Copper Heatsink,
—
17
—
pF
Storage
tfi
—
—
1000
100
2250
250
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJW16206 | POWER TRANSISTORS |
| MJW16212 | POWER TRANSISTOR 10 AMPERES 1500 VOLTS - VCES 50 AND 150 WATTS |
| MJW16212 | POWER TRANSISTOR |
| MJW21191 | 8.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 VOLTS 100 WATTS |
| MJW21191 | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJW16212 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MJW18020 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 20A 450V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW18020_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar |
| MJW18020G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 20A 450V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW21191 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 100W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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