參數(shù)資料
型號： MJE5850
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 AMPERE PNP SILICON POWER TRANSISTORS 300- 350- 400 VOLTS 80 WATTS
中文描述： 8 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 302K
代理商： MJE5850
7
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 221A–06
TO–220AB
ISSUE Y
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
STYLE 1:
PIN 1.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
4.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
MIN
0.570
0.380
0.160
0.025
0.142
0.095
0.110
0.018
0.500
0.045
0.190
0.100
0.080
0.045
0.235
0.000
0.045
–––
MAX
0.620
0.405
0.190
0.035
0.147
0.105
0.155
0.025
0.562
0.060
0.210
0.120
0.110
0.055
0.255
0.050
–––
0.080
MIN
14.48
9.66
4.07
0.64
3.61
2.42
2.80
0.46
12.70
1.15
4.83
2.54
2.04
1.15
5.97
0.00
1.15
–––
MAX
15.75
10.28
4.82
0.88
3.73
2.66
3.93
0.64
14.27
1.52
5.33
3.04
2.79
1.39
6.47
1.27
–––
2.04
MILLIMETERS
INCHES
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
1
2 3
4
D
SEATING
–T–
C
S
T
U
R
J
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE5850 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
MJE5851 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
MJE5851 8 AMPERE PNP SILICON POWER TRANSISTORS 300- 350- 400 VOLTS 80 WATTS
MJE8503 POWER TRANSISTORS 5.0 AMPERES 1500 VOLTS - BVCES 80 WATTS
MJE8503A POWER TRANSISTORS 5.0 AMPERES 1500 VOLTS - BVCES 80 WATTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE5850_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS
MJE5850G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 300V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE5850G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MJE5851 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 350V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE5851G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 350V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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