參數(shù)資料
型號(hào)： MJD6036
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 369A-13, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 128K
代理商： MJD6036
MJD6036 MJD6039
http://onsemi.com
5
10-1
0
-0.4
+0.2 +0.4 +0.6
-0.6
-0.2
+0.8 +1
+1.2 +1.4
PNP MJD6036
NPN MJD6039
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.06
0.2
0
*APPLIES FOR IC/IB < hFE/3
0.1
0.6
0.4
1
- 4.8
23
4
104
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10-1
0
+0.4
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
I C
103
102
101
100
-0.2 -0.4 -0.6
TJ = 150°C
100°C
REVERSE
FORWARD
25°C
VCE = 30 V
105
+0.6
+0.2
-0.8
-1 -1.2 -1.4
104
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
I C
103
102
101
100
REVERSE
FORWARD
105
+0.8
- 4
- 3.2
- 2.4
- 1.6
- 0.8
θVB for VBE
25°C to 150°C
*θVC for VCE(sat)
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.06
0.2
0
0.1
0.6
0.4
1
- 4.8
23
4
+ 0.8
- 4
- 3.2
- 2.4
- 1.6
- 0.8
Figure 10. Temperature Coefficients
Figure 11. Collector Cut–Off Region
Figure 12. Darlington Schematic
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈ 8 k
≈ 60
PNP
MJD6036
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈ 8 k
≈ 60
NPN
MJD3039
V,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
V,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
- 55°C to 25°C
25°C to 150°C
*APPLIED FOR IC/IB < hFE/3
25°C to 150°C
- 55°C to 25°C
25°C to 150°C
θVC for VBE
θVC for VCE(sat)
VCE = 30 V
TJ = 150°C
100°C
25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD6036-1 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD6036T4 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD6039T4 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD6039 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD6039-1 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD6036-1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
MJD6036T4 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
MJD6039 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Power Transistors
MJD6039-1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
MJD6039T4 功能描述:達(dá)林頓晶體管 2A 80V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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