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參數(shù)資料
| 型號： | MJD6036 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 369A-13, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | MJD6036 |
MJD6036 MJD6039
http://onsemi.com
4
V CE
,COLLECT
OR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V CE
,COLLECT
OR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
PNP MJD6036
NPN MJD6039
Figure 7. DC Current Gain
Figure 8. Collector Saturation Region
Figure 9. “On” Voltages
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
300
0.06
0.2
2 k
800
4 k
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
VCE = 3 V
TC = 125°C
3 k
0.1
0.6
25°C
-55°C
1 k
0.4
1
6 k
400
600
2
4
0.04
300
0.06
0.2
2 k
800
4 k
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
3 k
0.1
0.6
25°C
-55°C
1 k
0.4
1
6 k
400
600
24
3.4
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.6
0.1
0.2
0.5
10
25
IC =
0.5 A 1 A
1
3
1
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4
1
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
2.2
1.8
0.6
0.2
0.06
0.2
2
0.1
0.6
0.4
1
4
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4
1
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
2.2
1.8
0.6
0.2
0.06
0.2
2
0.1
0.6
0.4
1
4
20
50
100
3.4
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.6
0.1
0.2
0.5
10
25
1
3
1
20
50 100
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 3 V
VCE(sat) @ IC/IB = 250
IC =
0.5 A
TJ = 125°C
VCE = 3 V
TJ = 125°C
2 A
4 A
TJ = 125°C
1 A
2 A
4 A
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 3 V
VCE(sat) @ IC/IB = 250
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD6036-1 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD6036T4 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD6039T4 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD6039 | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD6039-1 | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJD6036-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |
| MJD6036T4 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |
| MJD6039 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Power Transistors |
| MJD6039-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |
| MJD6039T4 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 2A 80V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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