參數(shù)資料
型號(hào)： MJD45H11T4
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 152K
代理商： MJD45H11T4
THERMAL DATA
Rthj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
6.25
oC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25
oC unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
VCEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
IC = 30 mA
80
V
ICES
Collector Cut-off
Current
VCB = rated VCEO VBE = 0
10
A
IEBO
Emitter Cut-off Current
VEB = 5V
50
A
VCE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
IC = 8 A
IB = 0.4 A
1
V
VBE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
IC = 8 A
IB = 0.8 A
1.5
V
hFE
DC Current Gain
IC = 2 A
VCE = 1 V
IC = 4 A
VCE = 1 V
60
40
Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle ≤ 2 %
For PNP types the values are intented negative.
Safe Operating Area
Derating Curves
MJD44H11 / MJD45H11
2/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD45H11-T1 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD45H11I 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD45H11-I 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD47T4 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
MJD47 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
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參數(shù)描述
MJD45H11-T4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
MJD45H11T4-A 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
MJD45H11T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD45H11T4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTOR PNP -80V D-PAK
MJD45H11T4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MJD Series 80 V 8 A PNP Complementary Power Transistor - TO-252
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