參數(shù)資料
型號(hào)： MJD45H11
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： PLASTIC, DPAK-3
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 152K
代理商： MJD45H11
THERMAL DATA
Rthj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
6.25
oC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25
oC unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
VCEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
IC = 30 mA
80
V
ICES
Collector Cut-off
Current
VCB = rated VCEO VBE = 0
10
A
IEBO
Emitter Cut-off Current
VEB = 5V
50
A
VCE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
IC = 8 A
IB = 0.4 A
1
V
VBE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
IC = 8 A
IB = 0.8 A
1.5
V
hFE
DC Current Gain
IC = 2 A
VCE = 1 V
IC = 4 A
VCE = 1 V
60
40
Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle ≤ 2 %
For PNP types the values are intented negative.
Safe Operating Area
Derating Curves
MJD44H11 / MJD45H11
2/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD45H11T4 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD45H11-T1 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD45H11I 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD45H11-I 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD47T4 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
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參數(shù)描述
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