參數(shù)資料
型號： MJD42CI
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： MJD42CI
Product Folder - Fairchild P/N MJD42C - PNP Epitaxial Silicon Transistor
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MJD42C
PNP Epitaxial Silicon Transistor
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Contents
Features
General Purpose Amplifier
Low Speed Switching Applications
q
Lead Formed for Surface Mount
Applications (No Suffix)
q
Straight Lead (I-PAK, "-I" Suffix)
q
Electrically Similar to Popular TIP42C
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Datasheet
Product status/pricing/packaging
Product
Product status
Pricing*
Package type
Leads
Packing method
MJD42CTF
Full Production
$0.35
TO-252(DPAK)
2
TAPE REEL
* 1,000 piece Budgetary Pricing
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file:///C|/shj/MJD42C.html [Jul-26-2002 3:24:22 PM]
GO
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD44H11I 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD44H11-I 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD44H11 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD45H11 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD45H11T4 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD42CRL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD42CRLG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD42CT4 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD42CT4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD42CTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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